Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Interface states at the SiO2-Si interface

1. Electronic density of states at the interface between silicon and lead borosilicate glass

   С. И. Власов, П. Б. Парчинский, B. A. Olmatov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568540

2. Baric Impurity Effects in Silicon

   Victor I. Fistul, A.R. Turaev, С. З. Зайнабидинов

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1993Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.379724

3. Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

   П. Б. Парчинский

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRussian Microelectronics2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000246