Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Deep Level Transient Spectroscopy

1. The effect of γ radiation on the temperature dependence of the surface generation velocity at a Si-SiO2 interface

   П. Б. Парчинский, L. G. Ligai, Kh. Zh. Mansurov +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000253

2. Effect of pressure on the properties of a silicon-glass interface

   С. И. Власов, M. A. Ergasheva, T. P. Adylov

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesTechnical Physics Letters2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000306

3. Dependence of the surface generation velocity at silicon-(lead borosilicate) glass interface on conditions of nonequilibrium depletion region formation

   P. B. Parchinskiy, Aslan Nasirov, Л. Г. Лигай +2

   СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsTechnical Physics Letters2011Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2011.article.000305