Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Crystal Structure and Band Gap of Nanoscale Phases of Si Formed at Various Depths of the Near-Surface Region of SiO2

  1. An ion track based approach to nano- and micro-electronics

    K. Hoppe, W. R. Fahrner, D. Fink +7

    Статья2008Цитирований: 9
    ABI

  2. Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 Surface by Ar+ ion bombardment

    M. B. Yusupjanova, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков

    СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2016Цитирований: 7
    ABI

  3. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime

    Shinji Takeoka, Minoru Fujii, Shinji Hayashi

    Статья2000Цитирований: 7
    ABI

  4. Specific features of the formation of arrays of silver clusters from a thin film on a SiO2 surface

    Д. Г. Громов, O. V. Pyatilova, S. V. Bulyarskiĭ +2

    Статья2013Цитирований: 6
    ABI

  5. The Effect of the Formation of Silicides on the Resistivity of Silicon

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, G. Kh. Allayarova +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2019Цитирований: 5
    ABI

  6. Photoluminescence of porous silicon saturated with tungsten-tellurite glass with rare-earth metal impurities

    Е. С. Демидов, Alexey Mikhaylov, A. I. Belov +7

    Статья2011Цитирований: 5
    ABI

  7. Silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix a-SiO x :H (0 < x < 2)

    Yu. K. Undalov, Е. И. Теруков

    Статья2015Цитирований: 5
    ABI

  8. Modification of SiO through room-temperature plasma treatments, rapid thermal annealings, and laser irradiation in a nonoxidizing atmosphere

    F. Rochet, G. Dufour, H. Roulet +5

    Статья1988Цитирований: 4
    ABI

  9. Effect of oxidation on charge localization and transport in a single layer of silicon nanocrystals

    R. Krishnan, Qiwei Xie, J. Kulik +6

    Статья2004Цитирований: 4
    ABI

  10. Энергетические спектры нанопленок SiO<sub>2</sub>, созданных на поверхности Si ионной имплантацией

    Ё. С. Эргашов, Д. А. Ташмухамедова, Э. А. Раббимов

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  11. Получение наноразмерных фаз силицидов металлов в приповерхностной области кремния и изучение их электронных структур методом прохождения света, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"

    Статья2017Цитирований: 3
    ABI

  12. Quantum size effects on photoluminescence in ultrafine Si particles

    H. Takagi, H. Ogawa, Yuzo Yamazaki +2

    Статья1990Цитирований: 2
    ABI

  13. Silicon nanostructures for photonics and photovoltaics

    F. Priolo, T. Gregorkiewicz, Mattéo Galli +1

    Обзорная статья2014Цитирований: 2
    ABI

  14. Состав и электронные свойства наноразмерных фаз и нанопленок силицидов металлов, созданных методом ионной имплантации в сочетании с отжигом

    Х. Х. Болтаев, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI