Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: A Surface Study of Si Doped Simultaneously with Ga and Sb

  1. Self-organization of nickel atoms in silicon

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, K. S. Ayupov +3

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2011Цитирований: 10
    ABI

  2. Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon

    М. К. Бахадырханов, Z. T. Kenzhaev, S. Koveshnikov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2022Цитирований: 8
    ABI

  3. Nanoscale III–V on Si-based junctionless tunnel transistor for EHF band applications

    Yogesh Goswami, Pranav Kumar Asthana, Bahniman Ghosh

    Статья2017Цитирований: 3
    ABI

  4. A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells

    Hannes Wagner, Tobias Ohrdes, Amir Dastgheib-Shirazi +3

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  5. High performance 20 nm GaSb/InAs junctionless tunnel field effect transistor for low power supply

    Pranav Kumar Asthana

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  6. Raman spectra of Si-implanted GaSb

    Yan Su, Kwang-Jow Gan, J. S. Hwang +1

    Статья1990Цитирований: 2
    ABI

  7. On the origin of threading dislocations during epitaxial growth of III-Sb on Si(001): A comprehensive transmission electron tomography and microscopy study

    Michael Niehle, Jean‐Baptiste Rodriguez, L. Cerutti +2

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  8. Strain-induced the dark current characteristics in InAs/GaSb type-II superlattice for mid-wave detector

    H. J. Lee, Sung Yong Ko, Y. H. Kim +1

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  9. Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors

    Xue-Yue Xu, Junkai Jiang, Wei‐Qiang Chen +10

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  10. Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier

    Jiafeng Liu, He Zhu, Hong Zhu +4

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  11. Theoretical analysis and modelling of degradation for III–V lasers on Si

    Jianzhuo Liu, Mingchu Tang, Huiwen Deng +7

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI