Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: Effect of Deposition of Submonolayer Cs Coatings on the Density of Electronic States and Energy Band Parameters of CoSi2/Si(111)

  1. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

    T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 21
    ABI

  2. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14
    ABI

  3. Effect of thermal and laser annealing on the atom distribution profiles in Si(111) implanted with P+ and B+ ions

    А.С. Рысбаев, J. B. Khujaniyozov, I. R. Bekpulatov +2

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  4. Method for additional purification of the surface of Si(111) single crystal

    A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyazov, I. R. Bekpulatov +1

    СтатьяMaterial Properties and Failure MechanismsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  5. Features of CoSi2 phase formation by two-stage rapid thermal annealing of Ti/Co/Ti/Si(100) structures

    V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, В. В. Наумов +1

    Статья2011Цитирований: 9
    ABI

  6. Photoelectron Si 2p spectra of ultrathin CoSi2 layers formed on Si(100)2×1

    M. V. Gomoyunova, I. I. Pronin, N. R. Gall +2

    Статья2003Цитирований: 9
    ABI

  7. Laser Recrystallization and 3D Integration

    J.-P. Colinge

    Статья1984Цитирований: 6
    ABI

  8. Photoemission spectroscopy of the evolution of ultra-thin Co films on Si(111) substrates upon annealing temperature

    Ki-jeong Kim, Tai‐Hee Kang, Kwang-woo Kim +2

    Статья2000Цитирований: 5
    ABI

  9. Structure of Epitaxial CoSi<sub>2</sub> Films on Si(111) Studied with Low-Energy Electron Diffraction (LEED)

    Ulrich Starke, J. Schardt, W. Weiß +3

    Статья1998Цитирований: 4
    ABI

  10. Si based optoelectronics for communications

    G. Masini, Lorenzo Colace, Gaetano Assanto

    Статья2002Цитирований: 3
    ABI

  11. Will silicon be the photonic material of the third millenium? *

    Lorenzo Pavesi

    Статья2003Цитирований: 3
    ABI

  12. Interface structure of ultrathin CoSi2 films epitaxially grown on Si(111)

    A. Seubert, J. Schardt, W. Weiß +3

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI

  13. Unzipping and movement of Lomer-type edge dislocations in Ge/GeSi/Si(0 0 1) heterostructures

    Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, А. К. Гутаковский +1

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI