Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Structure of МеSi Silicide Films (Me: Li, Rb, K and Cs) According to Electron Microscopy Data and the Diffraction of Slow Electrons

  1. Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 15
    ABI

  2. Peculiarities of the electron structure of nanosized ion-implanted layers in silicon

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 9
    ABI

  3. Electronic properties of semiconducting silicides: fundamentals and recent predictions

    L. Ivanenko, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов +6

    Статья2004Цитирований: 6
    ABI

  4. Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, B.V. Ibragimova +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2017Цитирований: 5
    ABI

  5. Special Applications

    S. P. Murarka

    Глава1983Цитирований: 3
    ABI

  6. Implantation of sodium ions into germanium

    V.M. Korol, Yu. Kudriavtsev

    Статья2012Цитирований: 3
    ABI

  7. Synthesis and applications of metal silicidenanowires

    Andrew L. Schmitt, Jeremy M. Higgins, Jeannine R. Szczech +1

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  8. The growth of manganese layers on Si(100) at room temperature: A photoelectron spectroscopy study

    Christopher A. Nolph, E. Vescovo, Petra Reinke

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI