← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 2
Работа: Pulsed laser deposition of Al x Ga1–x As and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
Obtaining Si-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub>-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub> Structures from a Tin Solution-Melt in a Single Technological Cycle
А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov, С.И. Петрушенко +1
ABI