Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 8

Работа: Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties

  1. Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge<sub>2</sub>)y(ZnSe)z and their photoelectric properties

    А. С. Саидов, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +2

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsInternational Journal of Modern Physics B2022Цитирований: 6
    ABI

  2. Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I–V characteristics of the <i>n</i>-CdS/<i>i</i>-CdS<sub><i>x</i></sub>Te1−x/<i>p</i>-CdTe heterostructure

    А.С. Ачилов, R. R. Kabulov, Sharifa B. Utamuradova +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsModern Physics Letters B2023Цитирований: 4
    ABI

  3. Structural Peculiarities of the (ZnSe)1 – x – y(Ge2)x(GaAs1 – δBiδ)y Solid Solution with Various Nanoinclusions

    С. З. Зайнабидинов, Sharifa B. Utamuradova, Akramjon Y. Boboev

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2022Цитирований: 4
    ABI

  4. RESEARCH OF THE DEPENDENCE OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF p-Si-n-(Si2)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y-STRUCTURES ON TEMPERATURE

    А. С. Саидов, K. A. Amonov, Ada Yul'evna Leyderman

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesComputational nanotechnology2019Цитирований: 4
    ABI

  5. Liquid-phase epitaxy of the (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y substitutional solid solution (0 ≤ x ≤ 0.91, 0 ≤ y ≤ 0.94) and their electrophysical properties

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, М. С. Саидов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2015Цитирований: 3
    ABI

  6. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

    С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 2
    ABI

  7. Growing the solid solution of molekular substitution (GaAs)<sub>1-z</sub>(ZnSe)<sub>z</sub>

    А. С. Саидов, D. V. Saparov, Shukrullo Usmonov +2

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsIOP Conference Series Materials Science and Engineering2021Цитирований: 2
    ABI

  8. Influence of Germanium and Zinc Selenium Nanocrystals on the Photoelectric Properties of the n-GaAs – p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 Heterostructure

    С. З. Зайнабидинов, Akramjon Y. Boboev, Jakhongir N. Usmonov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesAlternative Energy and Ecology (ISJAEE)2019Цитирований: 1
    ABI