Работы, цитирующие эту работу

Работ: 5

Работа: Properties of Semiconductor Alloys

1. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

   С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000285

2. Composition of Silicon Alloyed with Gallium and Phosphorus Atoms

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, X. S. Turekeev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2024Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.002944

3. Effect of Hydrostatic Pressure and Temperature on Thermodynamic Properties of Electron Gas in Narrow Bandgap Semiconductor Nanowires

   A. B. Davlatov, G. Gulyamov, E. Feddi +3

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Low Temperature Physics2024Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.334477

4. Theoretical study of multiphoton absorption of light in semiconductor crystals in the multiband approximation

   Vokhob Rasulov, Rustam Yavkachovich Rasulov, Ravshan Rustamovich Sultonov +1

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAIP conference proceedings2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.005053

5. Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, X. S. Turekeev +1

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesПоверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.007427