Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 25

Работа: Effect of Diatomic Silicon Molecular Impurities on the Luminescent Properties of Semiconductor Solid Solutions

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Статья1979Цитирований: 18
    ABI

  3. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)<sub>1−<i>x</i></sub>(ZnSe)<sub><i>x</i></sub> with Nanocrystals

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

    СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering2019Цитирований: 8
    ABI

  4. Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova

    СтатьяPhotonic and Optical DevicesSemiconductors2012Цитирований: 4
    ABI

  5. ZnS nanostructures: From synthesis to applications

    Xiaosheng Fang, Tianyou Zhai, Ujjal K. Gautam +4

    Статья2010Цитирований: 3
    ABI

  6. GaP-nucleation on exact Si (001) substrates for III/V device integration

    Kerstin Volz, Andreas Beyer, Wiebke Witte +4

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  7. Influence of GaAs molecules on the photosensitivity of pSi–n(GaSb)1–x (Si2) x and nGaAs–p(InSb)1–x (Sn2) x heterostructures

    Sh. N. Usmonov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2016Цитирований: 2
    ABI

  8. Electron energies and states at the deep impurity level in a semiconductor

    A. G. Mironov, Alexander S. Serov

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Photothermovoltaic effect in a pSi-n(Si2)1 − x − y (ZnSe) x (GaP) y (0 ≤ x ≤ 0.88, 0 ≤ y ≤ 0.09) structure

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy2013Цитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Expansion of the spectral sensitivity range of the silicon photocells by growing a solid (Si2)1–x (GaP) x (0 ≤ x ≤ 1) solution

    D. V. Saparov, М. С. Саидов, А. С. Саидов

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2016Цитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI