Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Photosensitivity of pSi-n(Si2)1–x–y(Ge2) x (ZnSe) y heterostructures with quantum dots

  1. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25
    ABI

  2. Efficiency improvements of silicon solar cells by the impurity photovoltaic effect

    Mark Keevers, Martin A. Green

    Статья1994Цитирований: 22
    ABI

  3. Increasing the Efficiency of Ideal Solar Cells by Photon Induced Transitions at Intermediate Levels

    A. Ĺuque, Antonio Martı́

    Статья1997Цитирований: 20
    ABI

  4. Quantum dot solar cells

    Arthur J. Nozik

    Статья2002Цитирований: 10
    ABI

  5. Direct solar conversion to electricity nanoscale effects in pSi–n(Si2)1–x (ZnSe) x (0 ≤ x ≤ 0.01) of solar cells

    А. С. Саидов, K. A. Amonov, B. R. Kutlimurotov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2016Цитирований: 6
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 5
    ABI

  7. Specific features of the epitaxial growth of narrow-gap InSb quantum dots on an InAs substrate

    K. D. Moiseev, Ya. A. Parkhomenko, Е. В. Гущина +4

    Статья2009Цитирований: 4
    ABI

  8. Thermally activated resonance tunneling in asymmetric systems of CdSe/ZnSe double quantum wells with self-assembled quantum dots

    A. Reznitsky, A. A. Klochikhin, M. V. Eremenko

    Статья2014Цитирований: 3
    ABI

  9. Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence

    A. Kosarev, V. V. Chaldyshev, В. В. Преображенский +2

    Статья2016Цитирований: 3
    ABI

  10. High-efficiency silicon solar cells and prospects for their improvement

    N. M. Bordina, G.M. Grigor’eva, G. S. Daletskii +2

    Статья1982Цитирований: 3
    ABI

  11. AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with an array of InGaAs QDs

    S. A. Blokhin, A. V. Sakharov, A. M. Nadtochy +9

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  12. High-density InSb-based quantum dots emitting in the mid-infrared

    Vittorianna Tasco, N. Deguffroy, А. Н. Баранов +5

    Статья2006Цитирований: 3
    ABI

  13. MOVPE grown self-assembled and self-ordered InSb quantum dots in a GaSb matrix assessed by AFM, CTEM, HRTEM and PL

    P. Möck, G. R. Booker, N. J. Mason +4

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  14. Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy

    Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev

    Статья2016Цитирований: 3
    ABI

  15. New system of self-assembled GaSb/GaP quantum dots

    D. S. Abramkin, М. А. Putyato, А. К. Гутаковский +3

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI

  16. 100-period, 1.23-eV bandgap InGaAs/GaAsP quantum wells for high-efficiency GaAs solar cells: toward current-matched Ge-based tandem cells

    Hiromasa Fujii, Kasidit Toprasertpong, Yunpeng Wang +3

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI

  17. GaAs quantum well‐dots solar cells with spectral response extended to 1100 nm

    S. А. Mintairov, N. А. Kalyuzhnyy, M. V. Maximov +3

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  18. Quantum dot solar cells

    V. M. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. L. Khachatryan +1

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI