Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Electrical Properties of Silicon Doped with Manganese via High-Temperature Diffusion

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24
    ABI

  2. Negative magnetoresistance in silicon with manganese-atom complexes [Mn]4

    M. K. Bakhadirkhanov, K. S. Ayupov, G. H. Mavlyanov +1

    СтатьяMagneto-Optical Properties and ApplicationsSemiconductors2010Цитирований: 18
    ABI

  3. Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2019Цитирований: 10
    ABI

  4. Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, K. S. Ayupov, G. Kh. Mavlyanov +2

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceRussian Microelectronics2010Цитирований: 10
    ABI

  5. Specific features of magnetoresistance in overcompensated manganese-doped silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, G. H. Mavlonov, X. M. Iliev +3

    СтатьяMagnetic Properties and ApplicationsSemiconductors2014Цитирований: 7
    ABI

  6. Dopant microassociation mechanisms in Si〈Mn〉 and Si〈Ni〉

    С. З. Зайнабидинов, K. N. Musaev, N. A. Turgunov +1

    Статья2012Цитирований: 6
    ABI

  7. IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Microelectronics2012Цитирований: 6
    ABI

  8. Interaction between multiply charged manganese nanoclusters and sulfur atoms in silicon

    Z.M. Saparniyazova, М. К. Бахадырханов, О. Э. Саттаров +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2012Цитирований: 5
    ABI

  9. Deep impurity levels and diffusion coefficient of manganese in silicon

    H. Nakashima, Kazuhito Hashimoto

    Статья1991Цитирований: 3
    ABI

  10. Generation of thermal donors in silicon: Effect of self-interstitials

    V. V. Voronkov, G. I. Voronkova, A.V. Batunina +5

    Статья2000Цитирований: 3
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI