Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 18

Работа: Self-Oscillatory Processes in Silicon, Problems and Prospects for Research, and Their Application in Electronics

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24
    ABI

  2. Ferromagnetic states of p-type silicon doped with Mn

    Ziyodbek A. Yunusov, Sh. U. Yuldashev, Kh. T. Igamberdiev +5

    СтатьяQuantum and electron transport phenomenaJournal of the Korean Physical Society2014Цитирований: 11
    ABI

  3. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2021Цитирований: 8
    ABI

  4. Functional Capabilities of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2020Цитирований: 8
    ABI

  5. Some features of chemical interaction between a fast diffusing impurity and a group VI element in silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, Sh. I. Askarov, Н. Норкулов

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1994Цитирований: 7
    ABI

  6. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2014Цитирований: 6
    ABI

  7. Quantometers of solar IR radiation based on silicon with multicharged nanoclusters of magnesium atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяOptical and Acousto-Optic TechnologiesApplied Solar Energy2012Цитирований: 5
    ABI

  8. Correlation between the material parameters and conditions for the excitation of recombination waves in Si〈;S〉

    М. К. Бахадырханов, U. Kh. Kurbanova, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors1999Цитирований: 4
    ABI

  9. Formation of Se2 quasimolecules in selenium-doped silicon

    A. A. Taskin, E. G. Tishkovskiǐ

    Статья1998Цитирований: 3
    ABI

  10. Temperature-electrical domains moving in the cathode-anode direction in CdS monocrystals

    K. Germanova

    Статья1973Цитирований: 2
    ABI

  11. OSCILLATIONS IN SEMICONDUCTORS DUE TO DEEP LEVELS

    N. Holonyak, S. F. Bevacqua

    Статья1963Цитирований: 2
    ABI

  12. A Mössbauer study of a two-electron acceptor impurity of zinc in silicon

    Ф. С. Насрединов, N. P. Seregin, П. П. Серегин +1

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI

  13. Generation-recombination instabilities in thin-film structures

    V. V. Kolobaev

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  14. Properties of precisely compensated semiconductors

    Smagul Karazhanov

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSemiconductors2000Цитирований: 1
    ABI

  15. Anomalously long lifetime of holes in silicon with nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Х. М. Илиев +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2015Цитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI