Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaEkotizim uchun ochiq API
Lotin
Oʻzbek
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

17 ta ish

Ish: SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

  1. Silicon-germanium—a promise into the future?

    H. G. Grimmeiss

    Maqola19993 iqtibos
    ABI
  2. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

    M. Ogino, Yasuhisa Oana, M. Watanabe

    Maqola19823 iqtibos
    ABI
  3. Oxygen-containing radiation defects in Si1−xGex

    Yu.V. Pomozov, Mikhail G. Sosnin, Lyudmila I. Khirunenko +4

    Maqola20002 iqtibos
    ABI
  4. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI