Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

   М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.229086

2. Properties of self-organized SiGe nanostructures formed by ion implantation

   Yu. N. Parkhomenko, A. I. Belogorokhov, Н. Н. Герасименко +2

   Статья2004Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251134

3. Silicon-germanium—a promise into the future?

   H. G. Grimmeiss

   Статья1999Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251131

4. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

   M. Ogino, Yasuhisa Oana, M. Watanabe

   Статья1982Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251139

5. Oxygen-containing radiation defects in Si1−xGex

   Yu.V. Pomozov, Mikhail G. Sosnin, Lyudmila I. Khirunenko +4

   Статья2000Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251136

6. Spectral and current-voltage characteristics of Si-Si1−xGex heterostructures grown by liquid phase epitaxy

   A.S. Saidov, A. Kutlimratov, Б. Сапаев +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251138

7. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon

   M. K. Bakhadirkhanov, Zikrillaev N.F., С. Б. Исамов +2

   СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251145

8. Low-temperature diffusion of lithium in silicon-germanium solid solutions

   I. G. Atabaev, N. A. Matchanov, É. N. Bakhranov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesPhysics of the Solid State2001Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251132

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251133

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251135

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251137

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251140

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251141

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251142

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251143

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251144

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251146