Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: High-Sensitivity Temperature Sensor on the Basis of Single-Crystal Si(111) Implanted from Multiple Directions with P+ and B+ Ions

  1. Electronic properties of two-dimensional systems

    Tsuneya Ando, A. B. Fowler, Frank Stern

    Статья1982Цитирований: 25
    ABI

  2. Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 15
    ABI

  3. Effect of thermal and laser annealing on the atom distribution profiles in Si(111) implanted with P+ and B+ ions

    А.С. Рысбаев, J. B. Khujaniyozov, I. R. Bekpulatov +2

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  4. Electron microscopy characterization of higher manganese silicide film structure on silicon

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, Anton S. Orekhov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesNanotechnologies in Russia2016Цитирований: 7
    ABI

  5. Surface Science

    Kenjiro Oura, Michiko Katayama, А. В. Зотов +2

    Книга2003Цитирований: 5
    ABI

  6. Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, B.V. Ibragimova +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2017Цитирований: 5
    ABI

  7. Electron beam probe studies of semiconductor-insulator interfaces

    W. R. Bottoms, D.C. Guterman

    Статья1974Цитирований: 2
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI