Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 29

Работа: Lateral Photoelectric Effect In Iron-Silicon Dioxide-Compensated Silicon Hybrid Structures

1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

   М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.229086

2. Negative magnetoresistance in silicon with manganese-atom complexes [Mn]4

   M. K. Bakhadirkhanov, K. S. Ayupov, G. H. Mavlyanov +1

   СтатьяMagneto-Optical Properties and ApplicationsSemiconductors2010Цитирований: 18

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.239770

3. Infrared quenching of photoconduction in silicon with multicharge manganese clusters

   M. K. Bachadyrchanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSurface Engineering and Applied Electrochemistry2013Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000110

4. Vibrations of photocurrent induced by IR light in silicon with quantum dots

   Э. У. Арзикулов, И. П. Парманкулов

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSurface Engineering and Applied Electrochemistry2008Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000149

5. Influence of post-annealing treatment on the structure properties of ZnO films

   Ze Fang, Zhongyao Yan, Yeqiang Tan +2

   Статья2004Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.712510

6. Improved position sensitive detectors using high resistivity substrates

   J. Henry, J. Livingstone

   Статья2008Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717614

7. Determining the potential barrier presented by the interfacial layer from the temperature induced I–V characteristics in Al/p-Si Structure with native oxide layer

   Muhammed Can ÖZDEMİR, Ömer Sevgi̇li̇, İkram Orak +1

   Статья2020Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717627

8. Magnetic resistance of silicon specimens with manganese impurities

   Э. У. Арзикулов, Zh. T. Ruzimuradov

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Communications Technology and Electronics2007Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2007.article.000232

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717608

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717609

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717610

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717611

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717612

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717613

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717615

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717616

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717617

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717618

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717619

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717620

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717621

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717622

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717623

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717624

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.717625