Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: The Elemental Composition Investigation of Silicon Doped with Gallium and Antimony Atoms

1. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

   М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Z. T. Kenzhaev +3

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2020Цитирований: 15

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2020.article.000147

2. Ferromagnetic states of p-type silicon doped with Mn

   Ziyodbek A. Yunusov, Sh. U. Yuldashev, Kh. T. Igamberdiev +5

   СтатьяQuantum and electron transport phenomenaJournal of the Korean Physical Society2014Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000073

3. Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material

   М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2019Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000156

4. Photoconductivity of silicon with multicharged clusters of manganese atoms [Mn]4

   М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

   СтатьяInorganic Fluorides and Related CompoundsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.345482

5. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000429

6. Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon

   М. К. Бахадырханов, Z. T. Kenzhaev, S. Koveshnikov +2

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2022Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000633

7. Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics

   Н. Ф. Зикриллаев, G. A. Kushiev, Sergey V. Koveshnikov +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.258448

8. A Surface Study of Si Doped Simultaneously with Ga and Sb

   X.M. Iliyev, Sobir B. Isamov, B. O. Isakov +2

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.001190

9. Specific features of magnetoresistance in overcompensated manganese-doped silicon

   M. K. Bakhadirkhanov, G. H. Mavlonov, X. M. Iliev +3

   СтатьяMagnetic Properties and ApplicationsSemiconductors2014Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.319032

10. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2014Цитирований: 6

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000119

11. X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy Analyses of GaSb-Enriched Si Surface Formed by Applying Diffusion Doping Technique

    Xalmurat M. Iliyev, В. Б. Оджаев, Sobir B. Isamov +5

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceEast European Journal of Physics2023Цитирований: 6

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.001215

12. Development and Creation of a New Class of Graded-Gap Structures Based on Silicon with the Participation of Zn and Se Atoms

    Н. Ф. Зикриллаев, O. B. Tursunov, G. A. Kushiev

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2023Цитирований: 5

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.001403

13. Electron-hole diffusion lengths > 175 μm in solution-grown CH ₃ NH ₃ PbI ₃ single crystals

    Qingfeng Dong, Yanjun Fang, Yuchuan Shao +4

    Статья2015Цитирований: 4

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.327354

14. An investigation of the crystalline nature for GaSb films on Si(111) at varied growth temperature and growth rate

    A. A. Md. Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, K. Maezawa

    Статья2019Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.385146

15. Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon

    J.C. Irvin

    Статья1962Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518120

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518119

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518121

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518122

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518123

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518124

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518125

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518126

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518127

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518128

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518129