Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: The Mechanism of Current Transfer in n-GaAs – p(ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y Heterostructures

  1. On the theory of sublinear current-voltage characteristics of semiconductor structures

    A. Yu. Leĭderman, P. M. Karageorgy‐Alkalaev

    Статья1978Цитирований: 8
    ABI

  2. Dilute nonisovalent (II-VI)-(III-V) semiconductor alloys: Monodoping, codoping, and cluster doping in ZnSe-GaAs

    L. G. Wang, Alex Zunger

    Статья2003Цитирований: 7
    ABI

  3. Mechanism of charge transfer in injection photodiodes based on the In-n +-CdS-n-CdS x Te1 − x -p-Zn x Cd1 − x Te-Mo structure

    Ш. А. Мирсагатов, A. Yu. Leĭderman, O. K. Ataboev

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2013Цитирований: 6
    ABI

  4. Statistics of Inter‐Impurity Recombination of Electrons and Holes in Semiconductors

    P. M. Karageorgy‐Alkalaev, A. Yu. Leĭderman

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (b)1968Цитирований: 5
    ABI

  5. Structural Peculiarities of the (ZnSe)1 – x – y(Ge2)x(GaAs1 – δBiδ)y Solid Solution with Various Nanoinclusions

    С. З. Зайнабидинов, Sharifa B. Utamuradova, Akramjon Y. Boboev

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2022Цитирований: 4
    ABI

  6. Possible influence of nonequilibrium carrier recombination rate saturation on photocell operation

    A. Yu. Leĭderman

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2008Цитирований: 4
    ABI

  7. Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure

    S.Z. Zaynabidinov, A.S. Saidov, Akramjon Y. Boboev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesHerald of the Bauman Moscow State Technical University Series Natural Sciences2022Цитирований: 2
    ABI

  8. Effect of Uniaxial Elastic Deformation on the Current–Voltage Characteristic of Surface-Barrier Sb–p-Si〈Mn〉–Au Diodes

    О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2020Цитирований: 2
    ABI

  9. Peculiarities of the Current–Voltage Characteristic of n-GaP–p-(InSb)1 – x(Sn2)x Heterostructures

    A.S. Saidov, A. Yu. Leĭderman, Sh. N. Usmonov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2020Цитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI