Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 23

Работа: Raman Spectoroscopy of Silicon Single Crystals, Doped with Palladium and Irradiated by GammaRays

  1. Doping of semiconductors using radiation defects produced by irradiation with protons and alpha particles

    В. А. Козлов, Vitalii V. Kozlovski

    Статья2001Цитирований: 6
    ABI

  2. Iron contamination in silicon technology

    A. A. Istratov, H. Hieslmair, E. R. Weber

    Статья2000Цитирований: 5
    ABI

  3. PROCESSES OF DEFECT FORMATION IN SILICON DIFFUSIONALLY DOPED WITH PLATINUM AND IRRADIATED WITH PROTONS

    Sh.B. Utamuradov, Shakhrukh Kh. Daliev, D.A. Rakhmanov +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEurasian Physical Technical Journal2023Цитирований: 4
    ABI

  4. Picosecond-pulsed laser ablation of aluminum foils: crater morphology and plasma parameters

    Munisbek Akhmedov, Jurabek Sadullayev, Murodbek Vapayev +3

    СтатьяLaser-induced spectroscopy and plasmaEngineering Research Express2025Цитирований: 4
    ABI

  5. Determining the material structure of microcrystalline silicon from Raman spectra

    C. Smit, R.A.C.M.M. van Swaaij, H. Donker +3

    Статья2003Цитирований: 4
    ABI

  6. Raman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface

    J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1

    Статья1984Цитирований: 4
    ABI

  7. One and two-phonon Raman scattering from nanostructured silicon

    Igor Iatsunskyi, Grzegorz Nowaczyk, Stefan Jurga +3

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  8. Resonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate

    A. Wellner, Vincent Paillard, H. Coffin +2

    Статья2004Цитирований: 3
    ABI

  9. Critical-point analysis of the two-phonon Raman spectrum of silicon

    K. Uchinokura, Tomoyuki Sekine, E. Matsuura

    Статья1974Цитирований: 3
    ABI

  10. The radiation-induced defects production in P-type silicon doped by impurities of transitional elements

    Marat S. Yunusov, M. Kаrimov, M. N. Alkulov +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesRadiation effects and defects in solids2000Цитирований: 3
    ABI

  11. Influence of Different Types of Radiation on the Crystal Structure of Silicon Monocrystals n-Si

    Sharifa B. Utamuradova, Dilmurod A. Rakhmanov, A.S. Abiyev

    Статья2024Цитирований: 3
    ABI

  12. The optical properties of luminescence centres in silicon

    Gordon Davies

    Статья1989Цитирований: 3
    ABI

  13. Radiation-induced point- and cluster-related defects with strong impact on damage properties of silicon detectors

    Ioana Pintilie, G. Lindstroem, Alexandra Junkes +1

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  14. Radiation Damage by Heavy Ions in Silicon and Silicon Carbide Detectors

    C. Altana, L. Calcagno, C. Ciampi +8

    Статья2023Цитирований: 2
    ABI

  15. INFLUENCE OF ALPHA PARTICLES ON TECHNOLOGICAL IMPURITIES IN SILICON DOPED WITH PLATINUM

    Sharifa B. Utamuradova

    Статья2025Цитирований: 2
    ABI

  16. Investigation of Sensitive Thermal Sensors Based on Si<Pt> and Si<Pd>

    Sharifa B. Utamuradova, Dilmurod A. Rakhmanov, A.S. Abiyev

    СтатьяGas Sensing Nanomaterials and SensorsEast European Journal of Physics2024Цитирований: 1
    ABI

  17. Morphological Studies of (Ge2)1-X(ZnSe)X Solid Solutions

    A.Sh. Razzokov, А. С. Саидов, M.A. Shonazarova +2

    СтатьяPhase-change materials and chalcogenidesEast European Journal of Physics2025Цитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI