Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 6

Работа: Electronic properties of semiconducting silicides: fundamentals and recent predictions

  1. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

    T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 21
    ABI

  2. Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 15
    ABI

  3. Structure of МеSi Silicide Films (Me: Li, Rb, K and Cs) According to Electron Microscopy Data and the Diffraction of Slow Electrons

    M.T. Normuradov, A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyozov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2020Цитирований: 2
    ABI

  4. On the Formation of Silicide Films of Metals (Li, Cs, Rb, and Ba) During Ion Implantation in Si and Subsequent Thermal Annealing

    А.С. Рысбаев, M. T. Normurodov, J. B. Khujaniyozov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 1
    ABI

  5. Structure and Thermoelectric Properties of β-FeSi2 Doped with Cobalt

    F. Yu. Solomkin, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко +5

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2024Цитирований: 0
    ABI

  6. Structure and thermoelectric properties of β-FeSi<sub>2</sub> doped with cobalt

    F. Yu. Solomkin, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко +5

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesПоверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования2024Цитирований: 0
    ABI