Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 7

Работа: Semiconductors and Semimetals

  1. Mechanism of current transport in Schottky barrier diodes based on coarse-grained CdTe films

    Ш. А. Мирсагатов, A.K. Uteniyazov, А.С. Ачилов

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2012Цитирований: 16
    ABI

  2. Injection photodiode based on p-CdTe film

    Ш. А. Мирсагатов, A.K. Uteniyazov

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsTechnical Physics Letters2012Цитирований: 11
    ABI

  3. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterojunctions

    S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, J. Janabergenov

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2007Цитирований: 10
    ABI

  4. Mechanism of charge transfer in injection photodiodes based on the In-n +-CdS-n-CdS x Te1 − x -p-Zn x Cd1 − x Te-Mo structure

    Ш. А. Мирсагатов, A. Yu. Leĭderman, O. K. Ataboev

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2013Цитирований: 6
    ABI

  5. Investigation of current-voltage characteristics of the n-CdS-p-CdTe structure with an extended layer of the intermediate solid solution

    Ш. А. Мирсагатов, A. Yu. Leĭderman, B. U. Aĭtbaev +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesPhysics of the Solid State2009Цитирований: 5
    ABI

  6. Effect of irradiation with gamma-ray photons on the charge-transport mechanism in n-CdS/p-CdTe heterostructures

    S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, F. N. Dzhamalov

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsSemiconductors2009Цитирований: 3
    ABI

  7. Cascade Injection Photodetector for the 500−650-nm Spectral Range on the Basis of Solid Solutions of A2B6 Compounds

    Ш. А. Мирсагатов, B. N. Zaveryukhin, O. K. Ataboev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesUkrainian Journal of Physics2013Цитирований: 0
    ABI