Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 16

Работа: Mechanism of charge transfer in injection photodiodes based on the In-n +-CdS-n-CdS x Te1 − x -p-Zn x Cd1 − x Te-Mo structure

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. Current Injection in Solids

    A. M. Stoneham

    Статья1970Цитирований: 27
    ABI

  3. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Статья1979Цитирований: 18
    ABI

  4. Current injection in solids

    Murray A. Lampert, Peter Mark

    Книга1970Цитирований: 16
    ABI

  5. I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x

    А. С. Саидов, A. Yu. Leyderman, Sh. N. Usmonov +1

    СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsSemiconductors2009Цитирований: 13
    ABI

  6. Injection-based photodetectors

    І. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, V. I. Stafeev

    Статья2008Цитирований: 11
    ABI

  7. Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature

    Sh. N. Usmonov, Ш. А. Мирсагатов, A. Yu. Leyderman

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2010Цитирований: 8
    ABI

  8. On the theory of sublinear current-voltage characteristics of semiconductor structures

    A. Yu. Leĭderman, P. M. Karageorgy‐Alkalaev

    Статья1978Цитирований: 8
    ABI

  9. Semiconductors and Semimetals

    Глава1977Цитирований: 7
    ABI

  10. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution

    Kh. Kh. Ismoilov, A. M. Abdugafurov, Ш. А. Мирсагатов +1

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2008Цитирований: 6
    ABI

  11. Double-injection currents in Zn-compensated silicon pin structures

    P. M. Karageorgy‐Alkalaev, I. Z. Karimova, P. I. Knigin +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1976Цитирований: 6
    ABI

  12. Influence of the back contact on the electrophysical and functional characteristics of thin-film CdTe Schottky barrier detector structures

    Ш. А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, B. N. Zaveryukhin +1

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Physics Journal2012Цитирований: 4
    ABI

  13. Photodetectors with a controllable photosensitivity spectrum

    Ш. А. Мирсагатов, B. U. Aĭtbaev, V. M. Rubinov

    Статья1996Цитирований: 3
    ABI

  14. Study of the intermediate layer at the n +-CdS/p-CdTe interface

    S. A. Muzafarova, B. U. Aĭtbaev, Ш. А. Мирсагатов +2

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2008Цитирований: 3
    ABI

  15. On the theory of current–voltage characteristics of semiconductor diode structures with strong carrier accumulation

    A. Yu. Leĭderman, P. M. Karageorgy‐Alkalaev

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1979Цитирований: 3
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI