Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Atomic Diffusion in Semiconductors

1. Peculiarities of the electron structure of nanosized ion-implanted layers in silicon

   А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.095294

2. Electrical properties of ion-doped GaAs films obtained by implanting E=100-keV Cd+ ions

   B. S. Azikov, V. N. Brudnyı̆, I. V. Kаmenskaya +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Physics Journal1981Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1981.article.000091

3. Diffusion of ytterbium in silicon

   D. É. Nazyrov

   СтатьяGraphite, nuclear technology, radiation studiesSemiconductors2003Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000316