Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 7

  1. Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy

    Sh. N. Usmonov, А. С. Саидов, A. Yu. Leyderman +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2009Цитирований: 8
    ABI

  2. Liquid-phase epitaxy of the (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y substitutional solid solution (0 ≤ x ≤ 0.91, 0 ≤ y ≤ 0.94) and their electrophysical properties

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, М. С. Саидов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2015Цитирований: 3
    ABI

  3. The synthesis and photoelectric properties of Si-(Si2)1−x(ZnS)x epitaxial structures

    Б. Сапаев, А. С. Саидов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2004Цитирований: 3
    ABI

  4. Synthesis and characterization of (Si2)1−x−y (Ge2) x (GaAs) y continuous solid solutions

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, Khomidkhodzha Kholikov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2007Цитирований: 3
    ABI

  5. Spectral sensitivity of (Si2)1 − x (CdS)x solid solutions

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, Khomidkhodzha Kholikov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2007Цитирований: 3
    ABI

  6. Liquid phase epitaxy of (Sn2)1−x(InSb)x solid solution layers

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, D. V. Saparov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2002Цитирований: 2
    ABI

  7. Minority carrier lifetimes in polycrystalline silicon treated with liquid metals

    Б. Сапаев

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters2003Цитирований: 0
    ABI