Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 42

Работа: Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386189

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386190

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386191

4. Growth and photosensitivity of pSi-n(GaSb)1 − x (Si2) x structures

   А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2007Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386196

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386197

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386198

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386202

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386204

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386205

10. The synthesis and properties of epitaxial layers of (Si2)1−x(GaAs)x solid solutions on silicon substrates

    Б. Сапаев, А. С. Саидов, B. N. Zaveryukhin

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2004Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386206

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386208

12. Synthesis and properties of Ge-(Ge2)1−x(GaAs)x (0≤x≤1.0) epitaxial heterostructures grown by LPE from lead-based solution melts

    Б. Сапаев

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2004Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386210

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386212

14. Growth and photoelectric properties of graded-gap Si-(Si2)1−x(GaP)x heterostructures

    Б. Сапаев, А. С. Саидов, S. Dadamukhamedov

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesTechnical Physics2004Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386215

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386217

16. Influence of Germanium and Zinc Selenium Nanocrystals on the Photoelectric Properties of the n-GaAs – p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 Heterostructure

    С. З. Зайнабидинов, Akramjon Y. Boboev, Jakhongir N. Usmonov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesAlternative Energy and Ecology (ISJAEE)2019Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386220

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386223