Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: Photoluminescence Spectra of Stacking Defects in 4H-SiC Crystals

  1. Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC

    I. G. Atabaev, C. C. Tin, Б.Г. Атабаев +12

    Статья2008Цитирований: 8
    ABI

  2. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

    Jeff B. Casady, Wayne Johnson

    Обзорная статья1996Цитирований: 4
    ABI

  3. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4
    ABI

  4. Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments

    Muthu B. J. Wijesundara, Robert Azevedo

    Книга2011Цитирований: 2
    ABI

  5. Radiation-stimulated photoluminescence in electron irradiated 4H-SiC

    A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, N. V. Seredova +2

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  6. Radiation-enhanced dislocation glide in 4H-SiC at low temperatures

    E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, E.B. Yakimov +1

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Activation Energy of the Conductance of p–n-4H-SiC 〈Al〉 Structures Doped with Aluminum by the Method of Low-Temperature Diffusion

    Kh. N. Zhuraev, А. Yusupov, A. G. Gulyamov +3

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesJournal of Engineering Physics and Thermophysics2020Цитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI