Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 22

Работа: Study of Silicide Formation in Large Diameter Monocrystalline Silicon

  1. Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium

    K. P. Abdurakhmanov, Sharifa B. Utamuradova, Kh.S. Daliev +2

    Статья1998Цитирований: 10
    ABI
  2. Accumalations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si

    N. A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, R.M. Turmanova

    Статья2023Цитирований: 7
    ABI
  3. Deep level centers in silicon carbide: A review

    A. А. Lebedev

    Обзорная статья1999Цитирований: 6
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 5
    ABI
  5. Electrophysical properties of silicon doped with lutetium

    Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova

    Статья2024Цитирований: 4
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  7. Determination of deep trap levels in silicon using ion-implantation and CV-measurements

    Michael Schulz

    Статья1974Цитирований: 2
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI