← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 22
Работа: Study of Silicide Formation in Large Diameter Monocrystalline Silicon
Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium
K. P. Abdurakhmanov, Sharifa B. Utamuradova, Kh.S. Daliev +2
Статья1998Цитирований: 10ABIElectrophysical properties of silicon doped with lutetium
Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova
Статья2024Цитирований: 4ABIDetermination of deep trap levels in silicon using ion-implantation and CV-measurements
Статья1974Цитирований: 2ABI