Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: Comparison of 2D and 3D p-n Junction Differential Conductance and Diffusion Capacitance

  1. Modeling on the temperature dependence of the magnetic susceptibility and electrical conductivity oscillations in narrow-gap semiconductors

    U. I. Erkaboev, G. Gulyamov, J. I. Mirzaev +1

    СтатьяQuantum and electron transport phenomenaInternational Journal of Modern Physics B2020Цитирований: 20
    ABI

  2. On Temperature Dependence of Longitudinal Electrical Conductivity Oscillations in Narrow-gap Electronic Semiconductors

    G. Gulyamov, U. I. Erkaboev, R. G. Rakhimov +1

    Статья2020Цитирований: 15
    ABI

  3. Influence of deformation and light on the diffusion capacity and differential resistance of the p-n junction of a strong electromagnetic field

    G. Gulyamov, M. G. Dadamirzayev, M. O. Qosimova +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesAIP conference proceedings2023Цитирований: 5
    ABI

  4. Optoelectronic devices based on electrically tunable p–n diodes in a monolayer dichalcogenide

    Britton W. H. Baugher, Hugh Churchill, Yafang Yang +1

    Статья2014Цитирований: 4
    ABI

  5. Photovoltaic Effect in an Electrically Tunable van der Waals Heterojunction

    Marco M. Furchi, Andreas Pospischil, Florian Libisch +2

    Статья2014Цитирований: 3
    ABI

  6. Solar-energy conversion and light emission in an atomic monolayer p–n diode

    Andreas Pospischil, Marco M. Furchi, Thomas Mueller

    Обзорная статья2014Цитирований: 3
    ABI

  7. Changes in diodes with a p-n-transition under the influence of microwave radiation

    G. Gulyamov, Gulnoza Majidova, Feruza Muxitdinova +1

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAIP conference proceedings2023Цитирований: 3
    ABI

  8. Changing the Voltage of the p-n Junction in a Magnetic Field

    G. Gulyamov, Feruza Mukhitdinova, Gulnoza Majidova

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and Devicese-Journal of Surface Science and Nanotechnology2023Цитирований: 2
    ABI

  9. Tunable GaTe-MoS<sub>2</sub> van der Waals p–n Junctions with Novel Optoelectronic Performance

    Feng Wang, Zhenxing Wang, Kai Xu +5

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  10. Polarization-sensitive broadband photodetector using a black phosphorus vertical p–n junction

    Hongtao Yuan, Xiaoge Liu, Farzaneh Afshinmanesh +13

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  11. Electroluminescence and Photocurrent Generation from Atomically Sharp WSe<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub> Heterojunction <i>p–n</i> Diodes

    Rui Cheng, Dehui Li, Hailong Zhou +7

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  12. Plasmonic Silicon Quantum Dots Enabled High-Sensitivity Ultrabroadband Photodetection of Graphene-Based Hybrid Phototransistors

    Zhenyi Ni, Lingling Ma, Sichao Du +10

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  13. Atomically thin p–n junctions with van der Waals heterointerfaces

    Chul‐Ho Lee, Gwan‐Hyoung Lee, Arend M. van der Zande +10

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  14. Configuration‐Dependent Electrically Tunable Van der Waals Heterostructures Based on MoTe<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>

    Feng Wang, Lei Yin, Zhen Xing Wang +6

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI

  15. Van der Waals epitaxial growth and optoelectronics of large-scale WSe2/SnS2 vertical bilayer p–n junctions

    Tiefeng Yang, Biyuan Zheng, Zhen Wang +12

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  16. Photovoltaic effect in few-layer black phosphorus PN junctions defined by local electrostatic gating

    Michele Buscema, Dirk J. Groenendijk, Gary A. Steele +2

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  17. 2D pn junctions driven out-of-equilibrium

    Ferney A. Chaves, Pedro C. Feijoo, David Jiménez

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  18. Shubnikov–de Haas Oscillations in Semiconductors at the Microwave-Radiation Absorption

    G. Gulyamov, У. И. Эркабоев, A. G. Gulyamov

    СтатьяSolid-state spectroscopy and crystallographyAdvances in Condensed Matter Physics2019Цитирований: 2
    ABI

  19. Dynamically controllable polarity modulation of MoTe <sub>2</sub> field-effect transistors through ultraviolet light and electrostatic activation

    Enxiu Wu, Yuan Xie, Jing Zhang +5

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI