Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 25

Работа: Activation Energy of the Conductance of p–n-4H-SiC 〈Al〉 Structures Doped with Aluminum by the Method of Low-Temperature Diffusion

  1. Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC

    I. G. Atabaev, C. C. Tin, Б.Г. Атабаев +12

    Статья2008Цитирований: 8
    ABI

  2. Oxide film assisted dopant diffusion in silicon carbide

    Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Kerlit Chew +6

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesThin Solid Films2010Цитирований: 5
    ABI

  3. Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures

    Iikham G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, É. N. Bakhranov +6

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications2010Цитирований: 5
    ABI

  4. Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC

    I. G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, Dilmurad SAIDOV +5

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications2011Цитирований: 4
    ABI

  5. Negative secondary ion mass spectra under Cs+ ion bombardment of the p-SiC-〈B〉-surface

    I. G. Atabaev, Timur Saliev, Б.Г. Атабаев +1

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2011Цитирований: 4
    ABI

  6. Oxidation kinetics of hot-pressed silicon carbide

    Subhash C. Singhal

    Статья1976Цитирований: 4
    ABI

  7. A new approach in impurity doping of 4H-SiC using silicidation

    Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Michelle T. Tin +2

    Статья2013Цитирований: 4
    ABI

  8. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  10. Shallow acceptor levels in 4H- and 6H-SiC

    S. R. Smith, A. O. Evwaraye, W. C. Mitchel +1

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  11. Research of <i>p</i>‐<i>i</i>‐<i>n</i> Junctions Based on 4<i>H</i>‐SiC Fabricated by Low‐Temperature Diffusion of Boron

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Materials Science and Engineering2018Цитирований: 2
    ABI

  12. Spectral Dependence of Optical Absorption of 4<i>H</i>-SiC Doped with Boron and Aluminum

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, M. U. Hajiev

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesJournal of Spectroscopy2018Цитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI