Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 7

Работа: The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review

  1. Minority-Carrier Generation at the Interface between Silicon and Lead Borosilicate Glass

    П. Б. Парчинский, С. И. Власов

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Microelectronics2001Цитирований: 1
    ABI

  2. The effect of ultrasonic treatment on the generation characteristics of a Si-SiO2 interface

    П. Б. Парчинский, С. И. Власов, Л. Г. Лигай +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters2003Цитирований: 0
    ABI

  3. The effect of γ radiation on the temperature dependence of the surface generation velocity at a Si-SiO2 interface

    П. Б. Парчинский, L. G. Ligai, Kh. Zh. Mansurov +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2005Цитирований: 0
    ABI

  4. Effect of ultrasonic treatment on the generation characteristics of irradiated silicon-silicon-dioxide interface

    П. Б. Парчинский, С. И. Власов, Л. Г. Лигай

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2006Цитирований: 0
    ABI

  5. The rate of surface generation of charge carriers at the semiconductor-glass interface

    С. И. Власов, A. V. Ovsyannikov

    СтатьяSurface Roughness and Optical MeasurementsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2008Цитирований: 0
    ABI

  6. Dependence of the surface generation velocity at silicon-(lead borosilicate) glass interface on conditions of nonequilibrium depletion region formation

    P. B. Parchinskiy, Aslan Nasirov, Л. Г. Лигай +2

    СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsTechnical Physics Letters2011Цитирований: 0
    ABI

  7. Investigation into the charge-carrier generation processes in MIS structures with lead borosilicate glass-based dielectrics

    П. Б. Парчинский, Л. Г. Лигай, Aslan Nasirov +2

    СтатьяGlass properties and applicationsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2012Цитирований: 0
    ABI