Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Optical Properties of GexSi1 – x Binary Compounds in Silicon

  1. Nickel: A very fast diffuser in silicon

    Jeanette Lindroos, David P. Fenning, D. J. Backlund +5

    Статья2013Цитирований: 17
    ABI

  2. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Z. T. Kenzhaev +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2020Цитирований: 15
    ABI

  3. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

    Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8
    ABI

  4. The effect of silicon-germanium microheterojunctions on the parameters of silicon solar cells

    Б. А. Абдурахманов, Х. М. Илиев, С. А. Тачилин +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 7
    ABI

  5. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports2022Цитирований: 5
    ABI

  6. Properties of self-organized SiGe nanostructures formed by ion implantation

    Yu. N. Parkhomenko, A. I. Belogorokhov, Н. Н. Герасименко +2

    Статья2004Цитирований: 5
    ABI

  7. Solid Solubilities of Impurity Elements in Germanium and Silicon*

    F. A. Trumbore

    Статья1960Цитирований: 4
    ABI

  8. Direct formation of large-scale multi-layered germanene on Si substrate

    Hsu‐Sheng Tsai, Yuze Chen, Henry Medina +5

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  9. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

    M. Ogino, Yasuhisa Oana, M. Watanabe

    Статья1982Цитирований: 3
    ABI

  10. Microstructural studies on variation of defect parameters in Zr-Sn alloys and their transition with interchange of solvent and solute in Zr-Ti and Ti-Zr alloy systems by modified Rietveld method and Warren-Averbach method

    Jiten Ghosh, S. K. Chattopadhyay, Ajit Kumar Meikap +1

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  11. Silicon–Germanium: The Legacy Lives On

    B. A. Cook

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI