Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 22

Работа: Spectral Dependence of Optical Absorption of 4<i>H</i>-SiC Doped with Boron and Aluminum

  1. Deep level centers in silicon carbide: A review

    A. А. Lebedev

    Обзорная статья1999Цитирований: 6
    ABI

  2. Investigation of boron diffusion in 6H-SiC

    Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan

    Статья2003Цитирований: 5
    ABI

  3. Oxide film assisted dopant diffusion in silicon carbide

    Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Kerlit Chew +6

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesThin Solid Films2010Цитирований: 5
    ABI

  4. Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures

    Iikham G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, É. N. Bakhranov +6

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications2010Цитирований: 5
    ABI

  5. Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC

    I. G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, Dilmurad SAIDOV +5

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications2011Цитирований: 4
    ABI

  6. Negative secondary ion mass spectra under Cs+ ion bombardment of the p-SiC-〈B〉-surface

    I. G. Atabaev, Timur Saliev, Б.Г. Атабаев +1

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2011Цитирований: 4
    ABI

  7. Oxidation kinetics of hot-pressed silicon carbide

    Subhash C. Singhal

    Статья1976Цитирований: 4
    ABI

  8. A new approach in impurity doping of 4H-SiC using silicidation

    Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Michelle T. Tin +2

    Статья2013Цитирований: 4
    ABI

  9. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4
    ABI

  10. Effect of deep levels on current excitation in 6H-SiC diodes

    N.I. Kuznetsov, J. A. Edmond

    Статья1997Цитирований: 3
    ABI

  11. The Method of Solid State Impurity Diffusion and Doping In 4H-SiC

    Suwan Mendis, Chin-che Tin, Ilkham G. Atabaev +1

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI

  12. Phonons in 3C-, 4H-, and 6H-SiC

    Hermann Nienhaus, T.U. Kampen, Winfried Mönch

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  13. Component Technologies for Ultra-High-Voltage 4H-SiC pin Diode

    Koji Nakayama, Ryosuke Ishii, Katsunori Asano +3

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  14. Shallow acceptor levels in 4H- and 6H-SiC

    S. R. Smith, A. O. Evwaraye, W. C. Mitchel +1

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  15. Research of <i>p</i>‐<i>i</i>‐<i>n</i> Junctions Based on 4<i>H</i>‐SiC Fabricated by Low‐Temperature Diffusion of Boron

    I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Materials Science and Engineering2018Цитирований: 2
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI