← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 20
Работа: The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes
Dopant microassociation mechanisms in Si〈Mn〉 and Si〈Ni〉
С. З. Зайнабидинов, K. N. Musaev, N. A. Turgunov +1
Статья2012Цитирований: 6ABIDeep impurity levels and diffusion coefficient of manganese in silicon
H. Nakashima, Kazuhito Hashimoto
Статья1991Цитирований: 3ABIFormation of selenium-containing complexes in silicon
A. A. Taskin, E. G. Tishkovskiǐ
Статья2002Цитирований: 3ABIDonor deactivation in silicon nanostructures
Mikael Björk, Heinz Schmid, Joachim Knoch +2
Другое2009Цитирований: 2ABIPhase-transition-driven growth of compound semiconductor crystals from ordered metastable nanorods
Roland Mainz, Ajay Singh, S. Levcenko +4
Статья2014Цитирований: 2ABI