Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes

  1. Dopant microassociation mechanisms in Si〈Mn〉 and Si〈Ni〉

    С. З. Зайнабидинов, K. N. Musaev, N. A. Turgunov +1

    Статья2012Цитирований: 6
    ABI
  2. Deep impurity levels and diffusion coefficient of manganese in silicon

    H. Nakashima, Kazuhito Hashimoto

    Статья1991Цитирований: 3
    ABI
  3. Formation of selenium-containing complexes in silicon

    A. A. Taskin, E. G. Tishkovskiǐ

    Статья2002Цитирований: 3
    ABI
  4. Donor deactivation in silicon nanostructures

    Mikael Björk, Heinz Schmid, Joachim Knoch +2

    Другое2009Цитирований: 2
    ABI
  5. Phase-transition-driven growth of compound semiconductor crystals from ordered metastable nanorods

    Roland Mainz, Ajay Singh, S. Levcenko +4

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI