Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Silicon with Binary GexSi1 – x Compounds

  1. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2021Цитирований: 8
    ABI

  2. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

    Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8
    ABI

  3. Functional Capabilities of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2020Цитирований: 8
    ABI

  4. The effect of silicon-germanium microheterojunctions on the parameters of silicon solar cells

    Б. А. Абдурахманов, Х. М. Илиев, С. А. Тачилин +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 7
    ABI

  5. Infrared quenching of photoconduction in silicon with multicharge manganese clusters

    M. K. Bachadyrchanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSurface Engineering and Applied Electrochemistry2013Цитирований: 6
    ABI

  6. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2014Цитирований: 6
    ABI

  7. IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Microelectronics2012Цитирований: 6
    ABI

  8. Magnetic Properties of Silicon Doped with Impurity Atoms of Europium

    Н. Ф. Зикриллаев, G. H. Mavlonov, Levent Trabzon +4

    СтатьяMagnetic properties of thin filmsJournal of Nano- and Electronic Physics2023Цитирований: 5
    ABI

  9. Above room temperature ferromagnetism in Mn-ion implanted Si

    M. Bolduc, C. Awo-Affouda, Andrew Stollenwerk +4

    Статья2005Цитирований: 5
    ABI

  10. Properties of self-organized SiGe nanostructures formed by ion implantation

    Yu. N. Parkhomenko, A. I. Belogorokhov, Н. Н. Герасименко +2

    Статья2004Цитирований: 5
    ABI

  11. Thermally stimulated currents and instabilities of the photoresponse in PbTe(In) alloys at low temperatures

    Б.А. Акимов, V. A. Bogoyavlenskii, L. I. Ryabovа +2

    Статья1999Цитирований: 4
    ABI

  12. Self-consistent study of transport in Mn-doped semiconductor heterostructures

    Christian Ertler, Peter Senekowitsch, Jaroslav Fabian +1

    Статья2010Цитирований: 3
    ABI

  13. Nanomaterials, Nanostructures, and Nanotechnologies, by A. I. Gusev, Moscow: Fizmatlit, 2005

    Г. П. Швейкин

    Статья2006Цитирований: 3
    ABI

  14. Self-Oscillatory Processes in Silicon, Problems and Prospects for Research, and Their Application in Electronics

    Н. Ф. Зикриллаев, M. M. Shoabdurakhimova, K. S. Ayupov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 3
    ABI

  15. Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-Oscillation Parameters in Silicon

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, Manzura M. Shoabdirahimova +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 2
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Infralow-frequency oscillations in photoconductivity of chromium-doped silicon

    Kh. Kh. Dzhuliev, A. Yu. Leĭderman, A. T. Mamadalimov

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters2003Цитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI