Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 25

Работа: Effect of GaSb Compound on Silicon Bandgap Energy

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24
    ABI

  2. Self-organization of nickel atoms in silicon

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, K. S. Ayupov +3

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2011Цитирований: 10
    ABI

  3. Photoconductivity of silicon with multicharged clusters of manganese atoms [Mn]4

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяInorganic Fluorides and Related CompoundsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 10
    ABI

  4. Specific features of magnetoresistance in overcompensated manganese-doped silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, G. H. Mavlonov, X. M. Iliev +3

    СтатьяMagnetic Properties and ApplicationsSemiconductors2014Цитирований: 7
    ABI

  5. Nanoscale III–V on Si-based junctionless tunnel transistor for EHF band applications

    Yogesh Goswami, Pranav Kumar Asthana, Bahniman Ghosh

    Статья2017Цитирований: 3
    ABI

  6. Impurity photovoltaic effect in silicon with multicharge Mn clusters

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, С. А. Тачилин +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2008Цитирований: 2
    ABI

  7. High performance 20 nm GaSb/InAs junctionless tunnel field effect transistor for low power supply

    Pranav Kumar Asthana

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  8. Strain-induced the dark current characteristics in InAs/GaSb type-II superlattice for mid-wave detector

    H. J. Lee, Sung Yong Ko, Y. H. Kim +1

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  9. Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors

    Xue-Yue Xu, Junkai Jiang, Wei‐Qiang Chen +10

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  10. Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier

    Jiafeng Liu, He Zhu, Hong Zhu +4

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  11. X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Jean‐Baptiste Rodriguez, K. Madiomanana, L. Cerutti +2

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI

  12. Beyond the Vegard's law: solid mixing excess volume and thermodynamic potentials prediction, from end-members

    Marcellο Merli, Alessandrο Pavese

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  13. Control of the magnetic properties of silicon with manganese atom nanoclusters

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев

    СтатьяMagnetic Field Sensors TechniquesTechnical Physics2014Цитирований: 2
    ABI

  14. High-efficiency GaSb photocells

    В. П. Хвостиков, S. V. Sorokina, О. А. Хвостикова +5

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI