Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 19

Работа: The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Статья1979Цитирований: 18
    ABI

  3. Photoelectric properties of higher manganese silicide (HMS)-SilangleMnrangle-M structures

    T. S. Kamilov, V. P. Chirva, D.K. Kabilov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductor Science and Technology1999Цитирований: 11
    ABI

  4. On the mechanism of appearance of space-charge-limited current in higher manganese silicide (HMS)--HMS and HMS--M structures

    T. S. Kamilov, B L Sadullaev, U Sh Ganiev +1

    Статья1998Цитирований: 8
    ABI

  5. Electron microscopy characterization of higher manganese silicide film structure on silicon

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, Anton S. Orekhov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesNanotechnologies in Russia2016Цитирований: 7
    ABI

  6. Electronic properties of semiconducting silicides: fundamentals and recent predictions

    L. Ivanenko, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов +6

    Статья2004Цитирований: 6
    ABI

  7. Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, B.V. Ibragimova +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2017Цитирований: 5
    ABI

  8. On the possibility of developing thermoelectric sensors based on multielement higher manganese silicide film structures

    T. S. Kamilov, D. K. Kabilov, I. S. Samiev +1

    Статья2005Цитирований: 3
    ABI

  9. Influence of structural defects in silicon on formation of photosensitive heterostructures Mn4Si7-Si-Mn4Si7 and Mn4Si7-Si-M

    T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesEurasian journal of physics and functional materials2018Цитирований: 3
    ABI

  10. Transport Properties

    L. Ivanenko, H. Lange, A. Heinrich

    Глава2000Цитирований: 3
    ABI

  11. Photoconduction amplification and quenching in the Mn4Si7-Si〈Mn〉-Mn4Si7 and Mn4Si7-Si〈Mn〉-M heterostructures

    T. S. Kamilov, I. V. Ernst, A. Yu. Samunin

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 2
    ABI

  12. Formation of higher manganese silicide films on silicon

    T. S. Kamilov, D.K. Kabilov, I.S. Samiev +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2005Цитирований: 2
    ABI

  13. Defect engineering in implantation technology of silicon light-emitting structures with dislocation-related luminescence

    Н. А. Соболев

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  14. On the growth of higher manganese silicide films on silicon

    Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, Abdumalik Gaibov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2010Цитирований: 2
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI