Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 14

Работа: Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions

  1. Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева +3

    СтатьяMetal and Thin Film MechanicsTechnical Physics2013Цитирований: 15
    ABI

  2. Injection photodiode based on p-CdTe film

    Ш. А. Мирсагатов, A.K. Uteniyazov

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsTechnical Physics Letters2012Цитирований: 11
    ABI

  3. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterojunctions

    S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, J. Janabergenov

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2007Цитирований: 10
    ABI

  4. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode

    Ш. А. Мирсагатов, I. B. Sapaev, Zh. T. Nazarov

    СтатьяThermography and Photoacoustic TechniquesInorganic Materials2014Цитирований: 9
    ABI

  5. Mechanism of charge transfer in injection photodetectors based on the M(In)-n-CdS-p-Si-M(In) structure

    Ш. А. Мирсагатов, I. B. Sapaev

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesPhysics of the Solid State2015Цитирований: 8
    ABI

  6. Fabrication and Properties of nSi–pCdTe Heterojunctions

    I.B. Sapaev, Ш. А. Мирсагатов, Б. Сапаев +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsInorganic Materials2020Цитирований: 8
    ABI

  7. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution

    Kh. Kh. Ismoilov, A. M. Abdugafurov, Ш. А. Мирсагатов +1

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2008Цитирований: 6
    ABI

  8. Injection photodiode based on a p-Si-n-CdS-n +-CdS structure

    Ш. А. Мирсагатов, I. B. Sapayev

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2014Цитирований: 4
    ABI

  9. Effect of irradiation with gamma-ray photons on the charge-transport mechanism in n-CdS/p-CdTe heterostructures

    S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, F. N. Dzhamalov

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsSemiconductors2009Цитирований: 3
    ABI

  10. Study of the intermediate layer at the n +-CdS/p-CdTe interface

    S. A. Muzafarova, B. U. Aĭtbaev, Ш. А. Мирсагатов +2

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2008Цитирований: 3
    ABI

  11. Bilaterally Sensitive Photodiode Structures in the System Gallium Arsenide–Cadmium Sulfide

    Kutbiddin Ilovitddinovich Vakhobov, A. V. Karimov, Abdumalik Gaibov +2

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsJournal of Engineering Physics and Thermophysics2003Цитирований: 1
    ABI

  12. Growth and photoelectric properties of graded-gap Si-(Si2)1−x(GaP)x heterostructures

    Б. Сапаев, А. С. Саидов, S. Dadamukhamedov

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesTechnical Physics2004Цитирований: 1
    ABI

  13. (IV2)1−x(III-V)x solid solutions obtained from a bounded tin melt-solution

    Б. Сапаев, М. С. Саидов, А. С. Саидов +1

    СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsSemiconductors2004Цитирований: 1
    ABI

  14. Injection of degenerate electron-hole plasma

    Yu. A. Katulevskii

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1985Цитирований: 0
    ABI