Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 42

Работа: Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1117
    ABI

  2. Current Injection in Solids

    A. M. Stoneham

    Статья1970Цитирований: 27
    ABI

  3. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25
    ABI

  4. Current injection in solids

    Murray A. Lampert, Peter Mark

    Книга1970Цитирований: 16
    ABI

  5. X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals

    I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3

    Статья2010Цитирований: 9
    ABI

  6. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)<sub>1−<i>x</i></sub>(ZnSe)<sub><i>x</i></sub> with Nanocrystals

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

    СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering2019Цитирований: 8
    ABI

  7. Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +4

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2011Цитирований: 8
    ABI

  8. Dilute nonisovalent (II-VI)-(III-V) semiconductor alloys: Monodoping, codoping, and cluster doping in ZnSe-GaAs

    L. G. Wang, Alex Zunger

    Статья2003Цитирований: 7
    ABI

  9. Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y (ZnSe) x (Ge2) y structures with quantum dots

    А. С. Саидов, С. З. Зайнабидинов, M. U. Kalanov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy2015Цитирований: 6
    ABI

  10. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films

    S.Z. Zaynabidinov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman +4

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2016Цитирований: 5
    ABI

  11. Properties of Semiconductor Alloys

    Sadao Adachi

    Книга2009Цитирований: 5
    ABI

  12. Epitaxial growth of ZnSe on GaAs with the use of the ZnSe compound as the source

    Sergey P. Suprun, V. N. Sherstyakova, E. V. Fedosenko

    Статья2009Цитирований: 4
    ABI

  13. Effect of nonstoichiometry and doping on the photoconductivity spectra of GeSe layered crystals

    Д. И. Блецкан, J. J. Madyar, V. N. Kabaciy

    Статья2006Цитирований: 3
    ABI

  14. The synthesis and photoelectric properties of Si-(Si2)1−x(ZnS)x epitaxial structures

    Б. Сапаев, А. С. Саидов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2004Цитирований: 3
    ABI

  15. Cation variations at semiconductor interfaces: ZnSe(001)/GaAs(001) superlattices

    H. H. Farrell, Randall A. LaViolette

    Статья2004Цитирований: 3
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  17. MOVPE growth and characterization of ZnSe-GaAs heterovalent heterostructures

    Mitsuru Funato, Shizυo Fujita, Shigeo Fujita

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  18. Chemical and structural aspects of annealed ZnSe/GaAs(001) heterostructures

    D. H. Mosca, W. H. Schreiner, Edson Massayuki Kakuno +6

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  19. GaAs/Ge heterostructure photovoltaic cells fabricated by a combination of MOCVD and zinc diffusion techniques

    V. M. Andreev, В. П. Хвостиков, N. A. Kalyuzhnyĭ +3

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  20. The possibility of improving the structural perfection of the new heterojunctions GaAs-(Ge2)1− x(ZnSe)x, Ge-(Ge2)1−x(ZnSe)x, GaP-(Ge2)1−x (ZnSe)x, and Si-(Ge2)1−x(ZnSe)x

    А. С. Саидов, É. A. Koshchanov, A. Sh. Razzakov

    СтатьяPhase-change materials and chalcogenidesTechnical Physics Letters1998Цитирований: 2
    ABI

  21. Anion variations at semiconductor interfaces: ZnSe(100)/GaAs(100) superlattices

    H. H. Farrell, Randall A. LaViolette

    Статья2005Цитирований: 2
    ABI

  22. Heat-voltaic effect of pSi-n(ZnSe)1 − x − y (Si2) x (GaP) y structures

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2010Цитирований: 2
    ABI

  23. Effect of high intrinsic ion concentrations on electron energies in solid solutions of III–V and II–VI semiconductors

    Maurice Glicksman, W. D. Kraeft

    Статья1985Цитирований: 2
    ABI

  24. Electric and luminescence properties of GaAs-AIIBIVCV2 single crystals

    I. K. Polushina, Yu. V. Rud, V. Yu. Rud’

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  25. Tailoring Heterovalent Interface Formation with Light

    Kwangwook Park, Kirstin Alberi

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI