Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Photovoltaic Cells Based on Silicon with Binary Compounds GexSi1–x

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24
    ABI

  2. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Z. T. Kenzhaev +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2020Цитирований: 15
    ABI

  3. Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics

    М. К. Бахадырханов, A. Sh. Mavlyanov, U. Kh. Sodikov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2015Цитирований: 13
    ABI

  4. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)

    А. С. Саидов, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +5

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvances in Condensed Matter Physics2021Цитирований: 9
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 9
    ABI

  6. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

    Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8
    ABI

  7. Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics

    Н. Ф. Зикриллаев, G. A. Kushiev, Sergey V. Koveshnikov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 8
    ABI

  8. Functional Capabilities of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2020Цитирований: 8
    ABI

  9. A Surface Study of Si Doped Simultaneously with Ga and Sb

    X.M. Iliyev, Sobir B. Isamov, B. O. Isakov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 7
    ABI

  10. Optical Properties of GexSi1 – x Binary Compounds in Silicon

    Н. Ф. Зикриллаев, Habibjon Kushiev, Shahzodbek I. Hamrokulov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Nano- and Electronic Physics2023Цитирований: 5
    ABI

  11. Physical foundations of the formation of the silicon-based heterovarizonic structure

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesЖурнал технической физики2022Цитирований: 3
    ABI

  12. Self-consistent study of transport in Mn-doped semiconductor heterostructures

    Christian Ertler, Peter Senekowitsch, Jaroslav Fabian +1

    Статья2010Цитирований: 3
    ABI

  13. Self-Oscillatory Processes in Silicon, Problems and Prospects for Research, and Their Application in Electronics

    Н. Ф. Зикриллаев, M. M. Shoabdurakhimova, K. S. Ayupov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 3
    ABI

  14. Redistribution of deep selenium and sulfur impurities in silicon upon surface doping with phosphorus

    Yu. A. Astrov, В. А. Козлов, А. N. Lodygin +4

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  15. Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-Oscillation Parameters in Silicon

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, Manzura M. Shoabdirahimova +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 2
    ABI

  16. Spectral and current-voltage characteristics of Si-Si1−xGex heterostructures grown by liquid phase epitaxy

    А. С. Саидов, А. Кутлимратов, Б. Сапаев +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2001Цитирований: 2
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI