← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 44
Работа: Research of <i>p</i>‐<i>i</i>‐<i>n</i> Junctions Based on 4<i>H</i>‐SiC Fabricated by Low‐Temperature Diffusion of Boron
Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC
I. G. Atabaev, C. C. Tin, Б.Г. Атабаев +12
Статья2008Цитирований: 8ABIInvestigation of boron diffusion in 6H-SiC
Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan
Статья2003Цитирований: 5ABIA new approach in impurity doping of 4H-SiC using silicidation
Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Michelle T. Tin +2
Статья2013Цитирований: 4ABIThe Method of Solid State Impurity Diffusion and Doping In 4H-SiC
Suwan Mendis, Chin-che Tin, Ilkham G. Atabaev +1
Статья2013Цитирований: 3ABIDiffusion of boron in silicon carbide
K. Rüschenschmidt, H. Bracht, Michael Laube +2
Статья2001Цитирований: 3ABIBoron and aluminum diffusion into 4H–SiC substrates
Andrzej Kubiak, Jacek Rogowski
Статья2010Цитирований: 2ABIInfluence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H–SiC Schottky diodes
Q. Wahab, A. Ellison, Anne Henry +4
Статья2000Цитирований: 2ABIPower bipolar devices based on silicon carbide
P. A. Ivanov, M. E. Levinshteĭn, T. T. Mnatsakanov +2
Статья2005Цитирований: 2ABIHigh-temperature diffusion doping of porous silicon carbide
M. G. Mynbaeva, E. N. Mokhov, A. A. Lavrent’ev +1
Статья2008Цитирований: 2ABIBoron diffusion into 6H-SiC through graphite mask
Stanislav I. Soloviev, Ying Gao, X. Wang +1
Статья2001Цитирований: 2ABIPlanar 4H- and 6H-SiC p–n diodes fabricated by selective diffusion of boron
Ying Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan
Статья2001Цитирований: 2ABIMaterial science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices
Статья2015Цитирований: 2ABI