Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы

K. S. Ayupov

Работ: 27

Tashkent State Technical University, Universitetskaya ul. 2, Tashkent, 100095, Uzbekistan

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24
    ABI

  2. Negative magnetoresistance in silicon with manganese-atom complexes [Mn]4

    M. K. Bakhadirkhanov, K. S. Ayupov, G. H. Mavlyanov +1

    СтатьяMagneto-Optical Properties and ApplicationsSemiconductors2010Цитирований: 18
    ABI

  3. Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2019Цитирований: 10
    ABI

  4. Self-organization of nickel atoms in silicon

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, K. S. Ayupov +3

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2011Цитирований: 10
    ABI

  5. Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, K. S. Ayupov, G. Kh. Mavlyanov +2

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceRussian Microelectronics2010Цитирований: 10
    ABI

  6. Photoconductivity of silicon with multicharged clusters of manganese atoms [Mn]4

    М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

    СтатьяInorganic Fluorides and Related CompoundsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 10
    ABI

  7. Effect of electric field, illumination, and temperature on negative magnetoresistance of low-temperature-diffusion-doped silicon

    М. К. Бахадырханов, K. S. Ayupov, Х. М. Илиев +2

    СтатьяMagnetic properties of thin filmsTechnical Physics Letters2010Цитирований: 8
    ABI

  8. Specific features of magnetoresistance in overcompensated manganese-doped silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, G. H. Mavlonov, X. M. Iliev +3

    СтатьяMagnetic Properties and ApplicationsSemiconductors2014Цитирований: 7
    ABI

  9. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

    Bakhadyrkhanov M.K., Kenzhaev Z.T., S. Koveshnikov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 5
    ABI

  10. Enhancing the Efficiency of Silicon Solar Cells through Nickel Doping

    Z. T. Kenzhaev, Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2023Цитирований: 4
    ABI

  11. Self-Oscillatory Processes in Silicon, Problems and Prospects for Research, and Their Application in Electronics

    Н. Ф. Зикриллаев, M. M. Shoabdurakhimova, K. S. Ayupov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 3
    ABI

  12. Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-Oscillation Parameters in Silicon

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, Manzura M. Shoabdirahimova +4

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 2
    ABI

  13. Magnetic field sensor based on compensated silicon

    М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, K. S. Ayupov +1

    СтатьяMagnetic Field Sensors TechniquesTechnical Physics Letters2003Цитирований: 2
    ABI

  14. Spectral range of current self-oscillation in manganese-doped silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics2006Цитирований: 2
    ABI

  15. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron

    Zikrillayev Kh. F., K. S. Ayupov, G. H. Mavlonov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 1
    ABI

  16. Adaptation and optimization of a photovoltaic system for a country house

    N. F. Zikrillayev, K. S. Ayupov, Z. Mamarajabova +3

    СтатьяPhotovoltaic System Optimization TechniquesE3S Web of Conferences2023Цитирований: 1
    ABI

  17. Silicon with Binary GexSi1 – x Compounds

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, N. Narkulov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 1
    ABI

  18. Effect of GaSb Compound on Silicon Bandgap Energy

    Х. М. Илиев, Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Nano- and Electronic Physics2024Цитирований: 1
    ABI

  19. Magneto-sensors on the basis of negative magnetic resistance

    M.K. Bakhadirichanov, Khalmurat Iliev, K. S. Ayupov +3

    СтатьяMagnetic Field Sensors Techniques2005Цитирований: 1
    ABI

  20. Stimulation of negative magnetoresistance by an electric field and light in silicon doped with boron and manganese

    М. К. Бахадырханов, О. Э. Саттаров, Х. М. Илиев +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2005Цитирований: 0
    ABI

  21. The anomalous Hall effect in silicon with nanoclusters of manganese atoms

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, Г. Х. Мавлонов +1

    СтатьяMagnetic Field Sensors Techniques2010Цитирований: 0
    ABI

  22. Magnetic properties of silicon with nanoclusters of manganese atoms

    K. S. Ayupov, М. К. Бахадырханов, G. H. Mavlonov +3

    СтатьяMaterial Science and Thermodynamics2010Цитирований: 0
    ABI

  23. The binary clusters of impurity atoms in the silicon

    Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, O.Eh. Satarov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfaces2011Цитирований: 0
    ABI

  24. Mobility of charge carriers in silicon with multicharged nano clusters

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, K. S. Ayupov +2

    СтатьяNanowire Synthesis and Applications2013Цитирований: 0
    ABI

  25. Auto-oscillations of current in injection structures p+-p (Si<Mn>) based on heavily compensated silicon

    K. S. Ayupov, Hayrulla Zikrillaev, Elyor Saitov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesPhysical Sciences and Technology2024Цитирований: 0
    ABI