Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-Oscillation Parameters in Silicon

  1. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2021Цитирований: 8
    ABI

  2. Functional Capabilities of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2020Цитирований: 8
    ABI

  3. Some features of chemical interaction between a fast diffusing impurity and a group VI element in silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, Sh. I. Askarov, Н. Норкулов

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1994Цитирований: 7
    ABI

  4. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceInorganic Materials2014Цитирований: 6
    ABI

  5. IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Microelectronics2012Цитирований: 6
    ABI

  6. Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon

    К. А. Исмайлов, X. M. Iliev, M. O. Tursunov +1

    Статья2021Цитирований: 5
    ABI

  7. Correlation between the material parameters and conditions for the excitation of recombination waves in Si〈;S〉

    М. К. Бахадырханов, U. Kh. Kurbanova, Н. Ф. Зикриллаев

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors1999Цитирований: 4
    ABI

  8. Thermally stimulated currents and instabilities of the photoresponse in PbTe(In) alloys at low temperatures

    Б.А. Акимов, V. A. Bogoyavlenskii, L. I. Ryabovа +2

    Статья1999Цитирований: 4
    ABI

  9. Doping of silicon with selenium by diffusion from the gas phase

    Yu. A. Astrov, V. B. Shuman, L. М. Portsel +1

    Статья2014Цитирований: 3
    ABI

  10. Formation of Se2 quasimolecules in selenium-doped silicon

    A. A. Taskin, E. G. Tishkovskiǐ

    Статья1998Цитирований: 3
    ABI

  11. Temperature-electrical domains moving in the cathode-anode direction in CdS monocrystals

    K. Germanova

    Статья1973Цитирований: 2
    ABI

  12. On several regularities of deep levels of d-impurities in silicon

    Marat S. Yunusov, A. Akhmadaliev, Б. Л. Оксенгендлер +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1995Цитирований: 2
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Control of the excitation conditions and the parameters of self-sustained oscillations of current in compensated silicon doped with manganese

    М. К. Бахадырханов, Kh. Azimkhuzhaev, Н. Ф. Зикриллаев +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSemiconductors2000Цитирований: 1
    ABI

  15. Investigation of current instabilities in Mn4Si7–Si:Mn–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si:Mn–M heterojunctions

    T. S. Kamilov, L. L. Aksenova, B. Z. Sharipov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2015Цитирований: 1
    ABI