Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics

  1. Nickel: A very fast diffuser in silicon

    Jeanette Lindroos, David P. Fenning, D. J. Backlund +5

    Статья2013Цитирований: 17
    ABI

  2. Method for additional purification of the surface of Si(111) single crystal

    A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyazov, I. R. Bekpulatov +1

    СтатьяMaterial Properties and Failure MechanismsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  3. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

    Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8
    ABI

  4. The effect of silicon-germanium microheterojunctions on the parameters of silicon solar cells

    Б. А. Абдурахманов, Х. М. Илиев, С. А. Тачилин +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 7
    ABI

  5. Photovoltaic Properties of Silicon Doped with Manganese and Germanium

    Н. Ф. Зикриллаев, Habibjon Kushiev, С. Б. Исамов +2

    Статья2023Цитирований: 7
    ABI

  6. Solid Solubilities of Impurity Elements in Germanium and Silicon*

    F. A. Trumbore

    Статья1960Цитирований: 4
    ABI

  7. Direct formation of large-scale multi-layered germanene on Si substrate

    Hsu‐Sheng Tsai, Yuze Chen, Henry Medina +5

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  8. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

    M. Ogino, Yasuhisa Oana, M. Watanabe

    Статья1982Цитирований: 3
    ABI

  9. Microstructural studies on variation of defect parameters in Zr-Sn alloys and their transition with interchange of solvent and solute in Zr-Ti and Ti-Zr alloy systems by modified Rietveld method and Warren-Averbach method

    Jiten Ghosh, S. K. Chattopadhyay, Ajit Kumar Meikap +1

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  10. Liquid phase epitaxy of (Sn2)1−x(InSb)x solid solution layers

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, D. V. Saparov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2002Цитирований: 2
    ABI

  11. Recombination activity associated with thermal donor generation in monocrystalline silicon and effect on the conversion efficiency of heterojunction solar cells

    M. Tomassini, Jordi Veirman, Renaud Varache +4

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI

  12. Synergistic Effects of Ge and Si on the Performances and Mechanism of the Ge<sub><i>x</i></sub>Si<sub>1–<i>x</i></sub> Electrodes for Li Ion Batteries

    D. Duveau, Bernard Fraisse, Frédérique Cunin +1

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  13. Silicon–Germanium: The Legacy Lives On

    B. A. Cook

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI