Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 22

Работа: Composition of Silicon Alloyed with Gallium and Phosphorus Atoms

  1. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)

    А. С. Саидов, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +5

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvances in Condensed Matter Physics2021Цитирований: 9
    ABI

  2. Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon

    М. К. Бахадырханов, Z. T. Kenzhaev, S. Koveshnikov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2022Цитирований: 8
    ABI

  3. Properties of Semiconductor Alloys

    Sadao Adachi

    Книга2009Цитирований: 5
    ABI

  4. Features of the Properties of the Surface of (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y Semiconductor Solid Solution with ZnSe Quantum Dots

    С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, Akramjon Y. Boboev +1

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 4
    ABI

  5. MBE growth of GaP on a Si substrate

    M. S. Sobolev, А. А. Лазаренко, E. V. Nikitina +3

    Статья2015Цитирований: 4
    ABI

  6. Physical foundations of the formation of the silicon-based heterovarizonic structure

    M. K. Bakhadirkhanov, С. Б. Исамов

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesЖурнал технической физики2022Цитирований: 3
    ABI

  7. Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD

    A V Uvarov, A I Baranov, Ekaterina Vyacheslavova +7

    Статья2021Цитирований: 3
    ABI

  8. The structure of porous gallium phosphide

    T. N. Zavaritskaya, A. Kvit, N. N. Melnik +1

    Статья1998Цитирований: 3
    ABI

  9. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon

    M. K. Bakhadirkhanov, Zikrillaev N.F., С. Б. Исамов +2

    СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 2
    ABI

  10. Pulsed laser deposition of Al x Ga1–x As and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters

    Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, O. V. Devitsky +1

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  11. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, М. А. Putyato +5

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  12. Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, E. A. Emelyanov +7

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI

  13. Gallium Phosphide Window Layer for Silicon Solar Cells

    Markus Feifel, Thomas Rachow, Jan Benick +5

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  14. Raman Spectroscopy and Structure of Crystalline Gallium Phosphide Nanowires

    Qihua Xiong, Rajeev Gupta, Kofi W. Adu +5

    Статья2003Цитирований: 2
    ABI

  15. Gallium Phosphide-on-Silicon Dioxide Photonic Devices

    K. Schneider, Pol Welter, Yannick Baumgartner +3

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI

  16. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ МЕДИ

    Ш. Т. Хожиев, А А Ганиев, В. М. Ротштейн +3

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  18. Growth of GaP Layers on Si Substrates in a Standard MOVPE Reactor for Multijunction Solar Cells

    Pablo Caño, Carmen M. Ruiz, Amalia Navarro +3

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI

  19. Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge-=SUB=-x-=/SUB=-Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-, полученных диффузионной технологией

    Н.Ф. Зикриллаев, С.В. Ковешников, С. Б. Исамов +2

    Статья2022Цитирований: 2
    ABI

  20. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron

    Zikrillayev Kh. F., K. S. Ayupov, G. H. Mavlonov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Comparative study of photocells based on silicon doped with nickel by various methods

    К. А. Исмайлов, Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 1
    ABI